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使一或多种含碳前体朝向反应腔室中的衬底流动到所述反应腔室中，所述含碳前体中的每一种具有以下中的至少一个：一或多个C-C键或一或多个C-H键；
在位于所述一或多种含碳前体上游的远程等离子体源中从源气体产生所述源气体的自由基；以及
将所述源气体的所述自由基朝向所述衬底引入到所述反应腔室中，其中所述自由基处于足以活化C-C键和/或C-H键且在邻近于所述衬底的环境中形成含活化碳自由基的前体的能态，其中所述含活化碳自由基的前体沉积以在所述衬底上形成非晶或结晶碳膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述源气体包括氢气且所述源气体的所述自由基为氢自由基。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述氢自由基为在邻近于所述衬底的环境中处于基态的氢自由基。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括氧化硅、氮化硅、硅或碳的AG真人 AG平台非金属层，且所述非晶或结晶碳膜沉积在所述非金属层上。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括铜、钴、钼、钨或钌的金属层，且所述非晶或结晶碳膜沉积在所述金属层上。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述一或多种含碳前体包括直链烯烃、直链炔烃、支链烯烃、支链炔烃、环状烯烃或环状炔烃基团中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述一或多种含碳前体包括支链烷烃基团或环状烷烃基团。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述一或多种含碳前体包括经卤基取代的烷烃、经卤基取代的烯烃或经卤基取代的炔烃基团。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述一或多种含碳前体包括经卤代烷基取代的烷烃、经卤代烷基取代的烯烃、经卤代烷基取代的炔烃、经羧基取代的烷烃、经羧基取代的烯烃、经羧基取代的炔烃、经氰基取代的烷烃、经氰基取代的烯烃、经氰基取代的炔烃、经羰基取代的烷烃、经羰基取代的烯烃、经羰基取代的炔烃、经磺酰基取代的烷烃、经磺酰基取代的烯烃、经磺酰基取代的炔烃、经硝基取代的烷烃、经硝基取代的烯烃、经硝基取代的炔烃、经磺酰卤取代的烯烃、经磺酰卤取代的烯烃、经磺酰卤取代的炔烃、经磺酰胺取代的烷烃、经磺酰胺取代的烯烃或经磺酰胺取代的炔烃基团。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述一或多种含碳前体包括经醇取代的烷烃、经醇取代的烯烃、经醇取代的炔烃、经醚取代的烷烃、经醚取代的烯烃、经醚取代的炔烃、经醚取代的烷烃、经醚取代的烯烃、经醚取代的炔烃、经O-酰基取代的烷烃、经O-酰基取代的烯烃、经O-酰基取代的炔烃、经胺取代的烷烃、经胺取代的烯烃、经胺取代的炔烃、经N-酰基取代的烷烃、经N-酰基取代的烯烃或经N-酰基取代的炔烃基团。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述非晶或结晶碳膜为氢含量在约20原子％与约70原子％之间的非晶碳膜。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述衬底具有一或多个凹陷特征，所述非晶或结晶碳膜沉积在所述一或多个凹陷特征中且具有等于或大于约90％的阶梯覆盖率。
13.根据权利要求11所述的方法，其中所述非晶碳膜具有约1.5与约2.5之间的折射率和约1.1g/cm3与约3.5g/cm3之间的密度。
14.根据权利要求11所述的方法，其中所述非晶碳膜在约50℃与约550℃之间的沉积温度下以等于或大于约/分钟的沉积速率沉积。
15.根据权利要求1所述的方法，其中所述非晶或结晶碳膜中sp3碳键合的量等于或大于约25％。
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本发明提供了一种真空紫外光辅助雾化气相沉积装置及雾化气相沉积方法。所述反应腔室开设有气体入口和气体出口，所述反应腔室通过所述气体入口连接有雾化装置；所述反应腔室的顶部设置有真空紫外透过窗，所述真空紫外透过窗远离所述反应腔室的一侧设置有真空紫外光源，所述真空紫外光源的发射端朝向所述真空紫外透过窗；所述反应腔室的底部设置有样品台，所述样品台的顶面位于所述反应腔室的内腔中。本发明将真空紫外光源与雾化气相沉积装置结合，以实现无损伤或低损伤的低温化学气相沉积，能大大提高沉积薄膜的质量。
本实用新型提供了一种旋转式多源雾化装置及多层氧化物薄膜气相沉积系统，所述旋转式多源雾化装置包括超声波发生模块与雾化模块，所述雾化模块包括旋转支架，所述旋转支架上转动设置有至少两个储液罐体，所述储液罐体的底部设置有隔膜，所述储液罐体内容纳有原料溶液，所述旋转支架用于带动至少两个所述储液罐体交替置于所述超声波发生模块上，所述超声波发生模块用于雾化所述储液罐体内的原料溶液形成雾气。本实用新型能够为薄膜生长提供多种不同的原料溶液，解决了传统Mist‑CVD只能生长单层薄膜的限制，且可以获得高结晶度的多层薄膜。
一种用于衬底处理系统中的处理室的蒸发器组件包含：储存罐，其被设置成储存并加热前体液体；以及蒸发器阀块，其被安装于所述储存罐上。所述蒸发器阀块包括：本体；多个阀，其安装于所述本体上；载气入口，其与所述储存罐流体连通；前体液体入口，其与所述储存罐流体连通；蒸气端口，其与所述储存罐流体连通，以及蒸气出口，其与所述处理室流体连通。所述多个阀中的每一个与包含在所述蒸发器阀块内的相应流动路径流体连通。
本发明提供了一种包含超声波发生器的雾化气相沉积装置和雾化气相沉积方法。所述雾化气相沉积装置包括壳体；所述壳体包括依次连接的整流段、反应段和排出段，所述整流段具有气流收束结构，所述排出段具有气流发散结构，所述反应段的顶面设置有超声波发生器，所述反应段的底部设置有样品放置台，所述样品放置台的顶面位于所述反应段的内腔中，所述样品放置台和所述超声波发生器正对设置；所述整流段和所述排出段分别开设有入口和出口，所述整流段通过所述入口连接有雾化机构，所述雾化机构连接有载气源。本发明在雾化气相沉积装置中增添超声波发生器，能实现无损伤或低损伤的低温化学气相沉积。
本发明公开了热丝系统以及卧式HWCVD设备。该热丝系统被使用在卧式HWCVD设备中，其中，所述卧式HWCVD设备具有镀膜腔，所述镀膜腔内容置有用于载置衬底的载板，所述载板水平地被支撑并沿第一方向运行，所述热丝系统配置在所述镀膜腔的竖直方向的上部并沿所述第一方向以及与所述第一方向正交的第二方向延伸，所述热丝系统包括多个热丝馈入单元，多个所述热丝馈入单元分别沿所述第一方向以及所述第二方向配置。本发明的热丝系统能够保持镀膜工艺的稳定性并且提高系统使用的稳定性。
本发明涉及半导体沉积设备技术领域，具体涉及一种源瓶加热组件及沉积设备。本发明提供的一种源瓶加热组件，包括托板、第一加热带、第二加热带、第三加热带和预紧机构，所述第三加热带设置在所述托板上，所述源瓶放置在所述第三加热带上；所述第二加热带贴合于所述源瓶的侧面，所述第一加热带盖合于所述源瓶的上表面；所述预紧机构包括夹紧结构和下压结构，所述夹紧结构用于夹紧所述第一加热带。瓶体的上表面、侧面和下表面分别与第一加热带、第二加热带和第三加热带相接触，使得瓶体的上表面、侧面和下表面均能够被加热，提高了加热效果，通过控制第三加热带、第二加热带和第一加热带的温度依次递增，以适应固体加热的温度需求。
本发明公开了一种镀膜生产线，能够实现PECVD镀膜设备与HWCVD镀膜设备的连线，提高产能，降低成本。镀膜生产线，包括：卧式HWCVD设备，包括第一腔体、热丝模块以及第一水平运输机构，第一腔体设有第一镀膜腔，且第一腔体的前侧部设有第一进口，热丝模块设置于第一镀膜腔的内部，热丝模块包括多个热丝组件，多个热丝组件在水平方向上呈阵列式排布，每个热丝组件均包括热丝，每根热丝均包括第一竖向段、第二竖向段以及横向段，第一水平运输机构设置于第一镀膜腔的内部；卧式PECVD设备，包括设有第二镀膜腔的第二腔体、以及设置于第二镀膜腔内的第二水平运输机构，第二腔体的后侧部设有第二出口，第二出口与第一进口相互连通。
本实用新型涉及气相沉积镀膜技术领域，尤其涉及一种蒸发装置及镀膜设备。该蒸发装置包括蒸发锅、补液组件以及载气组件，蒸发锅内沿其高度方向间隔设置有多个蒸发腔室，并且蒸发锅内部和各个蒸发腔室的外壁之间填充有均温液体，补液组件能够向每个蒸发腔室内通入待蒸发液体，在不增大蒸发锅体积的基础上有效增大了待蒸发液体的表面积，从而增大了蒸发量，也保证了蒸发的稳定性。载气组件包括进气管路以及排气管路，进气管路用于向每个蒸发腔室内通入载气，排气管路用于将每个蒸发腔室内的蒸汽和载气排出，从而增大了蒸发腔室内部空气的流通速度，从而增大了蒸发量。镀膜设备通过应用上述蒸发装置，提高了涂层的沉积速度，也保证了涂层的均匀性。
本发明公开了一种固态前驱体源升华装置，包括固态源瓶主体，固态源瓶主体顶部的上盖板上设置有填料管以及进气管、出气管，出气管的下端终止于上盖板的下端面，其上端通过管路连通薄膜沉积腔体，管路上包裹有加热套；固态源瓶主体内设置有铜衬套，铜衬套卡接密封在上盖板与固态源瓶主体的底壁之间，固态源瓶主体内设置有缠绕在铜衬套外部的加热线圈；铜衬套内的中部设置有丝网过滤垫；铜衬套的底部设置有粉末防漏垫、气体分流板，填料管的下端穿过丝网过滤垫、终止于粉末防漏垫上方；气体分流板下端面设置有气道以及多个与气道连通的出气孔，进气管下端与气道连通。本发明能够更好的有助于固态源的升华，提高了固态源的使用效率。
本发明涉及一种固相前驱体输出装置及气相沉积系统。一种固相前驱体输出装置，固相前驱体输出装置包括：罩体，具有容置腔；装载组件，包括若干个装载盘；装载盘置于罩体的容置腔内，且沿容置腔的深度方向间隔排布；装载盘与容置腔的侧壁密封对接；容置腔的底壁与相邻装载盘间隔，形成气流中转腔；装载盘具有装载面；装载盘上设有若干个过孔；过孔沿垂直于装载面的方向贯穿装载盘；若干个扩散件，扩散件与过孔一一对应设置；扩散件具有一端开口的扩散腔；扩散件位于对应装载盘的装载面上，且其扩散腔的开口端与对应的过孔密封对接；扩散件还具有连通扩散腔和外部环境的扩散孔。
本申请涉及一种液位可检测的原子沉积设备源瓶，包括：圆柱瓶体，所述圆柱瓶体的左侧插接有长进流管，且圆柱瓶体的上端右侧固定设有短出流管，并且圆柱瓶体的右端上下侧分别固定设有粗低压管和细高压管；差压传送连接管，所述差压传送连接管固定插接有连通管，所述连通管的左端上下侧分别固定连接有法兰Ⅲ和法兰Ⅳ，所述法兰Ⅲ和法兰Ⅳ分别固定密封连接粗低压管和细高压管。本申请实施例提供的该设备，整体结构液位检测方法简单，检测装置外接，可重复使用，外接透明刻度方便查看源瓶内液位，不影响源瓶反应物挥发过程，不影响反应物容量，对源瓶瓶身改动较小，且不影响其密封性，制作成本低，有利于推广使用。
本发明提供一种低温CVD生长二维半导体材料的方法，采用直接在热受限目标衬底上低温生长二维半导体材料的方式，通过在钼源中混合低熔点稀散金属，使前驱体通过稀散金属共熔体的形式在较低的温度下蒸发，达到降低前驱体蒸发温度的目的，避免高温导致的介电层结晶漏电，同时避免因转移带来的褶皱、残胶以及试剂污染的引入。
使用含自由基活化碳的前体将结晶或非晶碳膜沉积在衬底上。含碳前体包含一或多个C‑C键和/或一或多个C‑H键。自由基在位于反应腔室上游的远程等离子体源中产生，且含碳前体流动到远程等离子体源下游的反应腔室中。自由基与C‑C键和/或C‑H键相互作用以在邻近于衬底的环境中活化含碳前体。在一些实施方案中，高度保形的非晶碳膜通过含自由基活化碳的前体沉积。
原料，通过称量蒸发前后基底的质量,计算出蒸发到基底上的原料的质量，进而标定PEABr、CsBr和PbBr
厚膜。本发明避免了对现有制备技术的使用，解决了现有技术中存在的技术问题。并通过三源共蒸制备低缺陷浓度的CsPbBr
膜，通过引入PEABr，利用其钝化缺陷作用，填补Br空位缺陷，并且能够形成二维RP型钙钛矿，可以有效减少缺陷浓度，显著减少暗电流浓度，并且提高CsPbBr
本发明提供一种利用雾化学气相沉积生长氧化物薄膜的装置系统及方法，所述装置系统包括进料及雾化单元、混合装置、反应装置和真空发生装置；所述进料及雾化单元包括相互并联的至少2套进料及雾化组件，每套进料及雾化组件包括相互串联的进料装置和雾化装置，且所述雾化装置连接于混合装置；所述进料装置和雾化装置的底部分别独立地设置有称重传感装置；所述进料装置和雾化装置之间设置有料液启停装置，所述雾化装置的侧壁设置有液位传感装置，且所述液位传感装置电连接于所述料液启停装置。本发明提供的装置系统提升了雾化效率的稳定性，增强了装置的实时反馈功能，改善了反应区域内气体流场的均匀性与衬底受热均匀性，进而提高了成膜效率与质量。
本申请案涉及高蒸汽压输送系统。一种系统包含汽化器容器。所述汽化器容器包含流体连接到所述汽化器容器的出口。加热器经配置以加热所述汽化器容器。阀经配置以调节所述出口处汽化材料的压力。响应于所述出口处的所述压力在设置压力范围外，所述加热器经配置以增加或减少到所述汽化器容器的热。
本公开的一个方式的原料供给装置是从溶液或分散体系生成反应性气体的原料供给装置，该溶液是将固体原料溶解于溶剂而得到的溶液，该分散体系是使固体原料分散于分散介质而得到的分散体系，所述原料供给装置具有：容器，其贮存所述溶液或所述分散体系；注入部，其将所述溶液或所述分散体系注入到所述容器内；排气口，其用于所述容器内排气；以及过滤器，其设置于所述容器内，所述过滤器将所述容器内划分为包括设置所述注入部的第一区域和设置所述排气口的第二区域的多个区域。
本发明公开了一种双源共蒸制备InSeI膜的方法。通过分别同时蒸发InI
的实际蒸发速率，使其以等摩尔比的速率蒸发，得到致密的InSeI膜，并制备X射线探测器，获得良好的器件性能。
本发明公开一种固态前驱体源瓶及其使用方法，主要由上盖、瓶体和阀组组成，本发明采用一种气接头，包括两个分体的接头本体，之间由内外联结螺母连接，能够适应多种设备接入，接头本体之间夹设限流垫片限流；本发明采用一种过滤装置，具有清洁功能，三层结构，上、下两层采用烧结式过滤片，中间层采用电加热石墨网，可使过滤片再生；本发明还在瓶体内设置气路，气体可以由底部进入，适用于多层装载盘情形，且多层装载盘采用两种结构间隔设置，一种是盘架边缘设置多根通气柱，中心是无孔中心柱，另一种是盘架中心设置通气中心柱，边缘无通气柱，能同时对多装载盘反应。
本申请涉及一种用于安瓿的模块化托盘和一种将模块化托盘插入安瓿中的方法。用于固体前体材料的递送系统的安瓿的所述模块化托盘用于原子层沉积ALD工艺、化学气相沉积CVD工艺或这两者。所述模块化托盘经配置有单独组件，所述组件可增强所述模块化托盘可插入到所述安瓿中的简易性，且所述托盘经配置以使得与所述安瓿的内壁表面的接触得以改善，从而改善从所述内壁到所述模块化托盘且最终到安置在所述模块化托盘上的所述固体前体材料的热传递。
本发明涉及一种带有沉积载具的化学气相沉积炉及进行沉积的方法，沉积载具、刚玉管位于化学气相沉积炉炉体内；发热体沿周向环绕在刚玉管的外围；沉积时，首先将固态粉末前驱体置于送粉装置中，气态前驱体在相应的外置气瓶中，被沉积的试样通过圆孔悬挂于载具沉积腔的内套筒中。将沉积载具按照装配顺序依次组装，放入炉体刚玉管内。打开真空泵，将炉体内抽为负压状态，压力根据沉积需要而定。本发明中的带有沉积载具的送粉式化学气相沉积炉可提高固态粉末前驱体利用率，节约成本，同时获得均匀的高质量涂层。且固态粉末前驱体几乎完全挥发为气体，可减少尾气管中的固体成分，减小尾气管道的堵塞，节约沉积和维修的时间。
拉梅什·钱德拉塞卡拉伊斯瓦·斯里尼瓦桑埃里卡·萨库拉·斯特兰德贝尔格·波尔安德鲁·波尔斯阿列克谢·V·阿尔特科
本公开部分涉及用于控制在气体混合物内的组分的浓度。在特定实施方案中，该组分是汽化液体组分，例如汽化稳定剂或汽化前体。还描述了其系统及用于这种控制的方法。
成膜用掺杂原料溶液的制备方法、层叠体的制造方法、成膜用掺杂原料溶液及半导体膜2.4
本发明涉及一种成膜用掺杂原料溶液的制备方法，其特征在于，其包含将溶质不与其他溶剂混合而是首先与第一溶剂混合，从而以与成膜原料另行制备的方式制备掺杂剂前驱体溶液的步骤，其中，所述溶质包含含有卤素的有机掺杂剂化合物或掺杂剂的卤化物，所述制备方法使用酸性溶剂作为所述第一溶剂。由此，可提供一种能够稳定地形成具有优异的电气特性的高品质薄膜的成膜用掺杂原料溶液的制备方法。
本实用新型涉及用于可汽化固体源材料的汽化器容器，其包括一或多个试剂支撑面板，所述试剂支撑面板在竖直定向上，例如当填充所述汽化器容器时，用作所述容器的内部空间的分隔物，而当旋转到水平定向时，所述面板支撑置于由所述面板和所述容器的内壁形成的一或多个腔室中的可汽化固体材料并能够将热量转移到所述固体材料。所述腔室使得填充有所述可汽化固体材料的任何或所有腔室提供空隙空间，以允许所述固体材料汽化并使气体在加热时移动通过所述汽化器容器，允许所述固体材料高效汽化，并进一步允许由所述固体材料产生的蒸汽移动至所述容器的出口，在所述出口处可作为工艺的一部分提供所述蒸汽。
本申请案涉及一种汽化器组合件。特定来说，提供包含汽化器容器的组合件。在一些实施例中，所述汽化器容器界定内部容积。在一些实施例中，所述汽化器容器经配置以在所述内部容积内容纳至少一种源试剂。在一些实施例中，所述组合件包含加热器。在一些实施例中，所述加热器经配置以使所述至少一种源试剂汽化。在一些实施例中，所述加热器是经配置以无需加热所述汽化器容器而使所述至少一种源试剂汽化的辐射热源。
本申请涉及一种输送装置及自动输送系统，包括主体及旁通管，主图内部具有用于输送第一介质的输送通道，输送通道的出口与反应装置连通，旁通管与树洞通道连通且用于输送第二介质。其中，输送通道具有用于产生负压的第一功能段，旁通管与功能段连通，第二介质在功能段产生的负压作用下通过旁通管被吸入输送装置。如此，旁通管内的第二介质，在第一功能段产生的负压作用下，被自动且快速的吸入输送通道内并随第一介质一起从输送通道的出口进入反应装置内，以满足反应装置的后续工艺要求。
本实用新型公开了CVD反应中金属熔体自动给料装置，包括反应炉，反应炉内底部设置坩埚，坩埚上部配置CVD反应室，CVD反应室底部开设喷嘴反应炉连接真空泵B，坩埚上垂直连接管道，管道上连通漏斗，漏斗内放置若干固体金属球，漏斗底部设置球阀。本实用新型坩埚内液态金属汽化保持平衡，不需要通过加热器消耗大量热量，坩埚温度及坩埚内蒸汽压力的调节平稳。
株式会社电装丰田自动车株式会社未来瞻科技株式会社国立大学法人京都工芸纤维大学
一种成膜设备，包括工作台(16)、加热器(14)、雾供给源(20)、过热蒸气供给源(80)、和输送装置。工作台配置成允许将衬底(12)安装在其上。加热器配置成加热衬底。雾供给源配置成供给包含溶剂和溶解在该溶剂中的膜材料的溶液(21)的雾(72)。过热蒸气供给源(80)配置成供给与溶剂相同材料的过热蒸气(43)。输送装置配置成将雾和过热蒸气朝向衬底的表面输送以在衬底的表面上生长含有膜材料的膜。
本发明的目的是提供一种成膜速度快且生产率优异的金属氮化膜的制造方法。提供一种金属氮化膜的制造方法，通过使用金属化合物原料和含氮化合物原料的化学气相生长法而在被处理基材的表面的至少一部分进行金属氮化膜的成膜，其中，含氮化合物原料包含肼和氨。
描述一个安装在加热样品腔室内的石英晶体微天平(QCM)装置。样品腔室的温度维持成比前驱物容器的温度高约10℃至约30℃。样品腔室连接到前驱物输送管线，并包括高温阀和与高温阀前流(foreline)的流路，以允许去除多余的材料。QCM装置包括加热器和气体冷却通道，从而使装置可维持在比前驱容器的温度低约10℃至约30℃的温度下。
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
